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歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 分流器是測量直流電流用的,根據(jù)直流電流通過阻值很小的電阻時在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實際應用中,要測量一個很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計量表顯示電壓值,分流器的電阻時定值,通過計算得到實際測量的電流值。 但實際生
0-45A??高精度積木式LD半導體激光器恒流源 (型號:PWR-45A-20V) 應用范圍:LD激光器驅(qū)動光纖激光器激光打標機高頻調(diào)Q激光 優(yōu)點:**:結(jié)構(gòu)簡單且容易實現(xiàn)任意大小電流輸出,使用子模塊搭積木式結(jié)構(gòu),客戶維護方便快捷。 *二:基于子模塊高精度、高效率的特點,系統(tǒng)也具有精度高,效率**高特點。 *三:系統(tǒng)母板上再設過流、過熱保護,使得恒流源半導體激光器橫流驅(qū)動源高可靠性。
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
手 機: 15604406391
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地 址: 吉林長春朝陽區(qū)長春市朝陽區(qū)人民大街A座7655號航空**A座403-1室
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