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雙向可控硅的產(chǎn)品判別,測量方法和參數(shù)符號
雙向可控硅-產(chǎn)品判別???????? 電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2較,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2較,剩下則為控制較(G)。? 1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個較,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是
一體式儀器與分體式儀器的局面 一體式儀器顧名思義就是將所有功能模塊集成在一起組合成的儀器,目前電測領(lǐng)域上用的較多見的較多的是一體式儀器,一體式儀器有它使用攜帶方便的優(yōu)勢,才能使得其廣泛使用,但是這種使用攜帶方便的一體式儀器早晚會被淘汰,取而代之將是分體式儀器,為什么呢? 何為分體式儀器,分體式儀器是將儀器各個部分的功能分別區(qū)分開來,每個部分負(fù)責(zé)一部分功能,最后作為一個整體來顯示較終的結(jié)果,對現(xiàn)場
????? 晶閘管又叫可控硅(Silicon?Controlled?Rectifier,?SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)
??? 晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和u型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時,由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有方向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反
公司名: 武漢武整機電有限公司
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電 話: 027-85667758
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地 址: 湖北武漢江夏區(qū)湖北省武漢市江夏區(qū)東湖**開發(fā)區(qū)光谷二路與高新五路交匯處北首地塊
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