FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

時(shí)間：2016-08-23作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：85

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET

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• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

  HGTG5N120BND產(chǎn)品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設(shè)計(jì)。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如：UPS、光伏逆變器、電機(jī)控制以及電源。 HGTG5N120BND產(chǎn)品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降時(shí)間。. . . .

• FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

  FQB5N90概述 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專(zhuān)有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種**的 MOSFET 技術(shù)已專(zhuān)門(mén)定制用來(lái)降低導(dǎo)通電阻， 并提供**的開(kāi)關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（較大值）@VGS = 10 V, I

• STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

  STW3N150 型號(hào) STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號(hào) STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現(xiàn)貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150