司坦森/STANSON 細(xì)說(shuō)MOS管

時(shí)間：2020-03-10作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：833

司坦森集成電路（深圳）有限公司專(zhuān)注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨

  描述stp4925是雙P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側(cè)開(kāi)關(guān)特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)

• MOS管STN2610 參數(shù) N60V 50A 應(yīng)用于電子測(cè)量?jī)x器 原廠庫(kù)存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場(chǎng)效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過(guò)程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開(kāi)關(guān)、低在線(xiàn)功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v

• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應(yīng)用于風(fēng)扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產(chǎn)品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能.該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開(kāi)關(guān)，低的在線(xiàn)功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數(shù)N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值