失效分析FA方法介紹

時(shí)間：2020-04-21作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：170

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過(guò)，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說(shuō)這個(gè)位置即為

• 芯片失效分析x-ray測(cè)試

  失效分析 趙工 轉(zhuǎn)眼到了2020年的初夏，新新冠狀病毒的影響，讓很多原本的計(jì)劃被打亂被改動(dòng)，目前北方市場(chǎng)急需完善的第三方實(shí)驗(yàn)室，專業(yè)的技術(shù)，成套的檢測(cè)設(shè)備，為滿足用戶檢測(cè)多樣化，就近服務(wù)的要求，我中心專門(mén)安裝了高精度x-ray檢測(cè)設(shè)備，目前X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))已經(jīng)全面對(duì)外服務(wù)，機(jī)時(shí)充足。 一、X-ray是什么？ X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過(guò)程中，因電子突然減

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)

• 晶柱切片后處理

  《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后，整個(gè)晶圓的制作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè)，裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片價(jià)值非凡的晶圓，以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片（Slicing） 長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸，其鋸片是一環(huán)狀薄葉片，內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，更可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開(kāi)晶棒