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高純氧化鋯在陶瓷墨水打印材料中的分散穩(wěn)定性研究


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  • 納米氧化鏑粉體在半導(dǎo)體柵極絕緣層中的應(yīng)用與挑戰(zhàn)

    ## 納米氧化鏑粉體:半導(dǎo)體絕緣層的新星與難題納米氧化鏑粉體正在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角,這種材料憑借其*特的介電性能成為柵較絕緣層的有力競爭者。高介電常數(shù)是納米氧化鏑較顯著的優(yōu)勢,這一特性使其在相同物理厚度下能實(shí)現(xiàn)較高的電容密度,為半導(dǎo)體器件微型化提供了新的可能。在半導(dǎo)體制造工藝中,納米氧化鏑粉體的應(yīng)用面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。薄膜均勻性是首要難題,納米粉體在成膜過程中容易出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,導(dǎo)致絕緣層出現(xiàn)缺陷

  • 二氧化鈦薄膜在太陽能電池透明導(dǎo)電電極中的應(yīng)用

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