STC單片機的特性及缺點解析

時間：2022-10-03作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：459

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v

• 司坦森/STANSON 細說MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個

• STN4402參數(shù) 30V 12A 廠家直銷MOS管場效應(yīng)管

  產(chǎn)品描述：STN4402是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯，它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少工作時的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路特征30V?/?12A，RDS（ON）=?13MΩ（典型值）@?VGS?=?10V30V／10A，RDS（ON）=